PMWD19UN,518

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

PMWD19UN,518 datasheet

• Маркировка
  PMWD19UN,518
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PMWD19UN,518 Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 5.6A Drain To Source Voltage (vdss): 30V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: 2 N-Channel (Dual) Gate Charge (qg) @ Vgs: 28nC @ 5V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 1478pF @ 10V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP Power - Max: 2.3W Rds On (max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V Series: TrenchMOS?„? Vgs(th) (max) @ Id: 700mV @ 1mA Other Names: 568-2361-2, 934057598518, PMWD19UN /T3
• Количество страниц
  12 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet PMWD19UN,518.pdf
Файл формата Pdf 89,03 KB